Thème : Effets de la température sur les paramètres …
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[En ligne]. les plaquettes de silicium dans un bain d’acide fluorhydrique HF. conducteurs thermodynamiquement instables. Dans le domaine photovoltaïque, ce procédé est utilisé particulièrement pour les cellules à substrat de type N [9]. KeV). Elle est réalisée par un dispositif appelé im planteur.
principe de fonctionnement des cellules photovoltaïques est illustré sur la figure ci-dessous. dans la zone de charge d’espace. Les paires électron-trou générés se comportent - Dans la zone N et P, les porteurs minoritaires diffusent. Ce qui atteint la zone de charge la zone N (pour les électrons) où ils seront majoritaires.
Le premier masque correspond à l’ouverture des zones actives, le deuxième à la réalisation de la métallisation face avant par lift-off. Sur une plaque de silicium de deux pouces, les étudiants vont réaliser trois cellules solaires de 1,5cm de côté chacune.
Icc: courant de court-circuit. Vpm: tension de puissance maximale. Ipm: courant de puissance maximale. Ncell: nombre de cellule composant le panneau. Tcell: température des cellules. Double cliquer sur le modèle (boite noire) du panneau photovoltaïque afin de faire apparaitre le modèle avec les composants le constituant.
Sur le long terme, les contacts de type passivant permettent de se rapprocher de la limite de rendement du silicium cristallin, esti-mée aujourd’hui à 29,4 % en fonction des paramètres de matériau du silicium [1].
Évolution du rendement des cellules solaires monocristalline et multicristalline en fonction du temps, d’après [10]. de 19 % fut ainsi atteint en 1985 [9]. Une amélioration de la structure interne des cellules visant à optimiser les déplacements des électrons a ensuite permis de convertir 24 % de l’énergie lumineuse en 1995 [25].
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