Station de recharge Production d énergie solaire en silicium monocristallin

Comment obtenir du silicium monocristallin ?

Il faut noter qu'en partant de 1 kg de silice, on n'obtient pas plus de 100 g de silicium monocristallin pour une dépense énergétique considérable, de l'ordre du MWh. Le silicium polycristallin, quant à lui, est obtenu par refonte des chutes de silicium monocristallin issues des opérations d'équarrissage.

Quelle est la méthode de production la plus courante de silicium monocristallin ?

Cependant, la demande de silicium monocristallin continue d’augmenter en raison de ses propriétés électroniques supérieures. La méthode de production la plus courante de silicium monocristallin est le procédé Czochralski. Ce processus consiste à immerger un cristal germe monté sur des tiges précisément dans du silicium fondu.

Comment calculer le silicium cristallin ?

On rajoute ainsi, en proportion calculée, la quantité relative de dopant dans l'ensemble de la charge. On obtient le silicium cristallin par refroidissement lent de silicium fondu. Cette opération se fait dans une atmosphère gazeuse contrôlée pour éviter de réintroduire des impuretés.

Qu'est-ce que la technologie monocristalline ?

La technologie monocristalline, plus chère, utilise des barres pures de silicium également employées dans la fabrication des puces électroniques. Le silicium monocristallin est une matière première d'une très grande pureté, dont l'élaboration demande 2 étapes : Purification : elle est obtenue par le procédé de la zone fondue.

Qu'est-ce que le silicium cristallin ?

Les cellules au silicium cristallin sont fabriquées à partir de silicium purifié, matériau dans lequel sont insérés en quantité infime des atomes de bore et de phosphore afin de créer des zones chargées différemment et de former la jonction donneur-accepteur.

Quelle est la qualité des panneaux solaires monocristallins ?

Les exigences de qualité des panneaux solaires monocristallins ne sont pas très exigeantes. Dans ce type de cartes, les exigences en matière d'imperfections structurelles sont moins élevées que dans les applications microélectroniques. Pour cette raison, du silicium de moindre qualité est utilisé.